Постанова КМУ № 1231-2009-п від 28.10.2009 Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки

                                                          
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
П О С Т А Н О В А
від 28 жовтня 2009 р. N 1231
Київ
Про затвердження Державної
цільової науково-технічної програми
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки
{ Із змінами, внесеними згідно з Постановами КМ
N 750 ( 750-2011-п ) від 13.07.2011
N 970 ( 970-2012-п ) від 24.10.2012 }

Кабінет Міністрів України п о с т а н о в л я є:
1. Затвердити Державну цільову науково-технічну програму
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки (далі -
Програма), що додається.

{ Пункт 2 виключено на підставі Постанови КМ N 970
( 970-2012-п ) від 24.10.2012 }

3. Державному агентству з питань науки, інновацій та
інформатизації та Національній академії наук: { Абзац перший
пункту 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 750
( 750-2011-п ) від 13.07.2011 }
разом з Міністерством фінансів передбачати під час складання
проекту Державного бюджету України на відповідний рік кошти для
виконання завдань і заходів Програми;
подавати щороку до 15 квітня Кабінетові Міністрів України
інформацію про хід виконання Програми.

Прем"єр-міністр України Ю.ТИМОШЕНКО
Інд. 28

ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 28 жовтня 2009 р. N 1231
ДЕРЖАВНА ЦІЛЬОВА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки

Мета Програми
Метою Програми є створення наноіндустрії шляхом забезпечення
розвитку її промислово-технологічної інфраструктури, використання
результатів фундаментальних та прикладних досліджень, а також
підготовки висококваліфікованих наукових та інженерних кадрів.
Шляхи і способи розв"язання проблеми
Для розв"язання проблеми необхідно:
провести фундаментальні та прикладні дослідження з
пріоритетних напрямів, зокрема наноелектроніки, наноінженерії,
функціональних і конструкційних наноматеріалів, колоїдних
нанотехнологій, нанотехнологій для каталізу та хімічної
промисловості, наноматеріалів та нанотехнологій для захисту
навколишнього природного середовища, нанотехнологій для
енергетики, нанотехнологій спеціального призначення, отримати нові
знання щодо особливостей фізичних, хімічних, біологічних і більш
складних процесів синтезу та атомного складення наносистем;
розробити нанобіотехнології виготовлення наноматеріалів,
пристроїв та приладів медичного призначення, а також для
наномедицини, нанофізики, нанохімії, наноматеріалознавства;
забезпечити дослідників сучасним обладнанням, необхідним для
виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей;
створити цілісну систему підготовки дослідників,
матеріалознавців і технологів, які володіють міждисциплінарними
фундаментальними знаннями та вміють працювати на сучасному
спеціальному обладнанні;
забезпечити проведення стандартизації та сертифікації
наноматеріалів, оскільки на даний час в Україні відсутня система
метрологічних вимірювань у діапазоні менш як 1 мікрон, що не дає
можливості вимірювати геометричні параметри нанооб"єктів та
перевіряти вимірювальне обладнання;
вивчити питання щодо потенційних ризиків шкідливого впливу
нанотехнологій та наноматеріалів на людину і навколишнє природне
середовище;
розробити план заходів щодо залучення інвестицій для
створення наноіндустрії, в якому передбачити можливість звільнення
від сплати податків, зборів та інших обов"язкових платежів під час
ввезення на митну територію України обладнання, необхідного для
виготовлення наноматеріалів і дослідження їх властивостей, а також
утворення підприємств, установ та організацій, діяльність яких
пов"язана з впровадженням нанотехнологій.
Прогнозні обсяги і джерела фінансування Програми наведені у
додатку 1.
Завдання і заходи
Основними завданнями Програми є:
проведення фундаментальних досліджень з метою розроблення та
удосконалення нанотехнологій, створення наносистем, наноструктур,
новітньої елементної бази наноелектроніки і нанофотоніки та
виготовлення наноматеріалів;
створення:
- технологічної системи виготовлення наноматеріалів,
наноструктур та приладів;
- промислово-технологічної інфраструктури наноіндустрії;
- новітньої елементної бази для виготовлення приладів
терагерцового діапазону, обладнання шляхом впровадження
наноструктур на основі традиційних напівпровідників;
розроблення:
- нанотехнологій для каталізу;
- дослідно-промислових технологій виготовлення нанопорошків,
наноматеріалів, зокрема наночастинок, нанотрубок, нанострижнів,
нановолокон, нанодротів, а також функціональних консолідованих
наноматеріалів і наноматеріалів з аморфно-нанокристалічною
структурою, конструкційних наноструктурованих матеріалів з
градієнтним та об"ємним зміцненням, нанодисперсних і
наноструктурованих люмінесцентних та сцинтиляційних матеріалів;
- нанотехнологій виготовлення легких, міцних і
корозійностійких конструкційних матеріалів для машинобудування та
аерокосмічної техніки, захисних покриттів різноманітних
конструкцій, нанофотокаталізаторів і вивчення фізичних та хімічних
процесів з їх використанням, наносорбентів і нанопористих
матеріалів, енергозберігаючих пристроїв з урахуванням досягнень
оптоелектроніки та фотовольтаїки;
- колоїдних нанотехнологій виготовлення наноматеріалів
різного функціонального призначення;
- оптичних джерел випромінювання (лазери і світлодіоди) на
основі наноелектронних структур;
- методів виготовлення апаратури для діагностики і
сертифікації наноматеріалів та приладів;
- наноконструкцій, що використовуються для підвищення
ефективності біологічно активних речовин;
- порядку проведення оцінки впливу нанотехнологій та
наноматеріалів на людину і навколишнє природне середовище;
вивчення питання щодо впливу наноматеріалів на біологічні
об"єкти;
утворення:
- центру сертифікації наноматеріалів, наноструктур та
приладів;
- у вищих навчальних закладах науково-навчальних центрів
підготовки та підвищення кваліфікації фахівців галузі
нанотехнологій та виготовлення наноматеріалів.
Завдання і заходи з виконання Програми наведені у додатку 2.
Очікувані результати, ефективність Програми
Виконання Програми дасть змогу:
розробити нанотехнології для хімічної промисловості,
енергетики, лікування найпоширеніших і найнебезпечніших хвороб, а
також виготовлення біологічно активних речовин та
багатофункціональних пристроїв наноелектроніки;
підготувати:
- нормативно-правові акти, стандарти та сертифікати, що
регламентують розроблення і впровадження нанотехнологій та
виготовлення наноматеріалів;
- підручники та навчальні посібники для вищих навчальних
закладів з питань щодо розроблення нанотехнологій та виготовлення
наноматеріалів;
утворити у вищих навчальних закладах науково-навчальні
центри.
Очікувані результати виконання Програми наведені у додатку 3.
Обсяги та джерела фінансування
Орієнтовний обсяг коштів, необхідних для виконання Програми,
становить 1847,1 млн. гривень.
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів
державного бюджету та інших джерел.

Додаток 1
до Програми
ПАСПОРТ
Державної цільової науково-технічної програми
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки

1. Концепція Програми схвалена розпорядженням Кабінету
Міністрів України від 2 квітня 2009 р. N 331 ( 331-2009-р ).
2. Програма затверджена постановою Кабінету Міністрів України
від 28 жовтня 2009 р. N 1231.
3. Державний замовник-координатор - Держінформнауки. { Пункт 3 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 750
( 750-2011-п ) від 13.07.2011 }
4. Державні замовники - Держінформнауки та Національна
академія наук. { Пункт 4 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 750
( 750-2011-п ) від 13.07.2011 }
5. Керівники Програми - перший віце-президент Національної
академії наук Шпак А.П. та академік Національної академії наук
Находкін М.Г.
6. Виконавці заходів Програми - підприємства, установи та
організації національних академій, МОНмолодьспорт, Агентство
держмайна, Держінвестпроект і його регіональні центри
інноваційного розвитку. { Пункт 6 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 750
( 750-2011-п ) від 13.07.2011 }
7. Строк виконання: 2010-2014 роки.
8. Прогнозні обсяги та джерела фінансування
------------------------------------------------------------------ | Джерела | Обсяг | У тому числі за роками | | фінансування |фінансування,|---------------------------------| | |млн. гривень | 2010 | 2011 | 2012 |2013 | 2014 | |----------------+-------------+------+------+------+-----+------| |Державний бюджет| 1682,3 |336,35|356,25|368,15|325,7|295,85| |----------------+-------------+------+------+------+-----+------| |Інші джерела | 164,8 |24,85 |35,75 | 41,6 |32,8 | 29,8 | |----------------+-------------+------+------+------+-----+------| |Усього | 1847,1 |361,2 | 392 |409,75|358,5|325,65| ------------------------------------------------------------------
{ Додаток 1 із змінами, внесеними згідно з Постановою КМ N 750
( 750-2011-п ) від 13.07.2011 }

Додаток 2
до Програми
ЗАВДАННЯ І ЗАХОДИ
з виконання Державної
цільової науково-технічної програми
"Нанотехнології та наноматеріали" на 2010-2014 роки

------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ | Найменування | Найменування | Значення показника |Найменування заходів| Головний | Джерела |Прогноз-| У тому числі за роками | | завдання | показника |------------------------------| |розпорядник|фінансу- | ний | | | | |усьо-| за роками | | бюджетних | вання | обсяг | | | | | го | | | коштів |(держав- | фінан- | | | | | |------------------------| | | ний, | сових |---------------------------------------| | | | |2010|2011|2012|2013|2014| | |місцевий | ресур- | 2010 | 2011 | 2012 | 2013 | 2014 | | | | | | | | | | | | бюджет, |сів для | | | | | | | | | | | | | | | | | інші) |виконан-| | | | | | | | | | | | | | | | | | ня | | | | | | | | | | | | | | | | | |завдань,| | | | | | | | | | | | | | | | | | млн. | | | | | | | | | | | | | | | | | |гривень | | | | | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Фізика наноструктур | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |1. Проведення |кількість | 40 | 5 | 7 | 11 | 11 | 6 |1) проведення | |державний| | | | | | | |фундаментальних |досліджень | | | | | | |досліджень щодо | |бюджет | | | | | | | |фізичних | | | | | | | |визначення: | | | | | | | | | |досліджень з | | | | | | | |--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |метою | | | | | | | | фізичного |Держінформ-| | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 | |розроблення | | | | | | | |механізму керованого|науки | | | | | | | | |нанотехнологій | | | | | | | |формування та | | | | | | | | | |та фізичних | | | | | | | |самоорганізації | | | | | | | | | |основ нових | | | | | | | |наночастинок, |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |приладів, | | | | | | | |наноструктур та |Національна| | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 | |створення | | | | | | | |наносистем з метою |академія | | | | | | | | |наносистем, | | | | | | | |розроблення фізичних|наук | | | | | | | | |наноструктур та | | | | | | | |основ нанотехнологій| | | | | | | | | |новітньої | | | | | | | |і створення нових | | | | | | | | | |елементної бази | | | | | | | |функціональних | | | | | | | | | |наноелектроніки | | | | | | | |наноматеріалів | | | | | | | | | |і нанофотоніки, | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |виготовлення | | | | | | | |Разом | 14 | 2,5 | 3 | 3 | 3 | 2,5 | |наноматеріалів | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | механічних та |Держінформ-| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |акустичних |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |властивостей |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |наноматеріалів та |Національна| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |наноструктур з метою|академія | | | | | | | | | | | | | | | | |застосування |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |наноелектро- | | | | | | | | | | | | | | | | | |механічних систем | | | | | | | | | | | | | | | | | |під час розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | | |багатофункціональних| | | | | | | | | | | | | | | | | |сенсорних технологій| | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | оптичних |Держінформ-| | 11,5 | 2,25 | 2,5 | 2,5 | 2,25| 2 | | | | | | | | | |властивостей |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |наноматеріалів та |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |механізму взаємодії |Національна| | 11,5 | 2,25 | 2,5 | 2,5 | 2,25| 2 | | | | | | | | | |електромагнітного |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання з |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктурами з | | | | | | | | | | | | | | | | | |метою виготовлення | | | | | | | | | | | | | | | | | |надшвидкодіючих | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанофотонних та | | | | | | | | | | | | | | | | | |оптоелектронних | | | | | | | | | | | | | | | | | |пристроїв, | | | | | | | | | | | | | | | | | |діагностики і | | | | | | | | | | | | | | | | | |сертифікації | | | | | | | | | | | | | | | | | |наноматеріалів | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 23 | 4,5 | 5 | 5 | 4,5 | 4 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | механізму та |Держінформ-| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |процесів маніпуляції|науки | | | | | | | | | | | | | | | | |атомами, молекулами |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |та наночастинками, |Національна| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |зокрема за |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |допомогою світла, |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |механічних, | | | | | | | | | | | | | | | | | |електричних та | | | | | | | | | | | | | | | | | |магнітних | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанозондів, з метою | | | | | | | | | | | | | | | | | |розроблення нових | | | | | | | | | | | | | | | | | |методів прецизійної | | | | | | | | | | | | | | | | | |та сканувальної | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанодіагностики та | | | | | | | | | | | | | | | | | |нанотехнологій | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | надпровідних |Держінформ-| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |наноматеріалів та |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктур, | | | | | | | | | | | | | | | | | |розроблення |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |наноплівкових |Національна| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |надпровідних |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів з високою |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |густиною критичного | | | | | | | | | | | | | | | | | |струму для | | | | | | | | | | | | | | | | | |функціональних | | | | | | | | | | | | | | | | | |застосувань та | | | | | | | | | | | | | | | | | |фізичних принципів | | | | | | | | | | | | | | | | | |новітніх квантових | | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | органічних |Держінформ-| | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 | | | | | | | | | |наноматеріалів та |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |молекулярних |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |нанокомпозитних |Національна| | 7 | 1,25 | 1,5 | 1,5 | 1,5 | 1,25 | | | | | | | | | |структур для систем |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |відображення, |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |збереження, обробки | | | | | | | | | | | | | | | | | |та передачі | | | | | | | | | | | | | | | | | |інформації, а також | | | | | | | | | | | | | | | | | |фотоенергетики | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 14 | 2,5 | 3 | 3 | 3 | 2,5 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | | надвисокочастотних|Держінформ-| | 9 | 1,75 | 2 | 2 | 1,75| 1,5 | | | | | | | | | |електрофізичних |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |властивостей | | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідникових | | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктур, | | | | | | | | | | | | | | | | | |емісійних | | | | | | | | | | | | | | | | | |характеристик |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |наноструктур з метою|Національна| | 9 | 1,75 | 2 | 2 | 1,75| 1,5 | | | | | | | | | |виготовлення |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів емісійної |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |наноелектроніки, | | | | | | | | | | | | | | | | | |розроблення | | | | | | | | | | | | | | | | | |фізичних принципів | | | | | | | | | | | | | | | | | |генерації та | | | | | | | | | | | | | | | | | |детектування | | | | | | | | | | | | | | | | | |терагерцового | | | | | | | | | | | | | | | | | |електромагнітного | | | | | | | | | | | | | | | | | |випромінювання та | | | | | | | | | | | | | | | | | |наноелектроніки для | | | | | | | | | | | | | | | | | |комунікаційних і | | | | | | | | | | | | | | | | | |інформаційних | | | | | | | | | | | | | | | | | |технологій | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 18 | 3,5 | 4 | 4 | 3,5 | 3 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |2) вивчення | |державний| | | | | | | | | | | | | | | |магнітних | |бюджет | | | | | | | | | | | | | | | |властивостей |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |наноматеріалів і |Держінформ-| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |наноструктур з метою|науки | | | | | | | | | | | | | | | | |їх застосування у | | | | | | | | | | | | | | | | | |спінтроніці та |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |нанорозмірних |Національна| | 4 | 0,75 | 1 | 1 | 0,75| 0,5 | | | | | | | | | |елементах пам"яті |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |для інформаційних |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |технологій | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 8 | 1,5 | 2 | 2 | 1,5 | 1 | |---------------------------------------------------------------------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |Разом за напрямом "Фізика наноструктур" | | -"- | 101 | 19 | 23 | 23 | 20 | 16 | |-----------------------------------------------------------------------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |у тому числі |Держінформ-| | 50,5 | 9,5 | 11,5 | 11,5 | 10 | 8 | | |науки | | | | | | | | | |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | |Національна| | 50,5 | 9,5 | 11,5 | 11,5 | 10 | 8 | | |академія | | | | | | | | | |наук | | | | | | | | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| | Технології напівпровідникових наноструктур | |----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------| |2. Розроблення |кількість | 4 | | 1 | 1 | 1 | 1 |1) проведення | |державний| | | | | | | |технологій |розроблених | | | | | | |досліджень щодо | |бюджет | | | | | | | |отримання |нанотехнологій| | | | | | |процесів формування | | | | | | | | | |напівпровід- | | | | | | | |наноструктурованих |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| |никових | | | | | | | |об"єктів на поверхні|Держінформ-| | 1,8 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,3 | 0,2 | |наноструктур | | | | | | | |напівпровідників |науки | | | | | | | | | | | | | | | | | 2 6 | | | | | | | | | | | | | | | | | |А В методами |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |хімічного травлення |Національна| | 1,8 | 0,4 | 0,4 | 0,5 | 0,3 | 0,2 | | | | | | | | | |та синтезу |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |нанорозмірних |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідникових | | | | | | | | | | | | | | | | | |матеріалів хімічним | | | | | | | | | | | | | | | | | |способом | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 3,6 | 0,8 | 0,8 | 1 | 0,6 | 0,4 | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |2) розроблення: | | -"- | | | | | | | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+--------------------+-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | -"- | 3 | | 1 | 1 | 1 | | нанотехнологій |Держінформ-| | 2,8 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,5 | 0,5 | | | | | | | | | |отримання методом |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |молекулярно- | | | | | | | | | | | | | | | | | |променевої епітаксії| | | | | | | | | | | | | | | | | |нанорозмірних | | | | | | | | | | | | | | | | | |структур (квантових | | | | | | | | | | | | | | | | | |точок Ge на Si і |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |SiOx, вертикально |Національна| | 2,8 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,5 | 0,5 | | | | | | | | | |інтегрованих систем |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |квантових точок |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |тощо) та проведення | | | | | | | | | | | | | | | | | |досліджень їх | | | | | | | | | | | | | | | | | |оптичних і | | | | | | | | | | | | | | | | | |електрофізичних | | | | | | | | | | | | | | | | | |властивостей для | | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення на їх | | | | | | | | | | | | | | | | | |основі елементів | | | | | | | | | | | | | | | | | |сонячних батарей, | | | | | | | | | | | | | | | | | |фотоприймачів | | | | | | | | | | | | | | | | | |інфрачервоного | | | | | | | | | | | | | | | | | |діапазону та | | | | | | | | | | | | | | | | | |елементів пам"яті | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 5,6 | 1,2 | 1,2 | 1,2 | 1 | 1 | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | |кількість | 6 | | 1 | 2 | 2 | 1 | лазерних методів |Держінформ-| | 1,8 | 0,4 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,2 | | |розроблених | | | | | | |формування та |науки | | | | | | | | | |методів | | | | | | |модифікації |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |наноструктур |Національна| | 1,8 | 0,4 | 0,5 | 0,4 | 0,3 | 0,2 | | | | | | | | | |елементарних |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідників та |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |благородних металів | | | | | | | | | | | | | | | | | |з керованими | | | | | | | | | | | | | | | | | |оптичними та | | | | | | | | | | | | | | | | | |люмінесцентними | | | | | | | | | | | | | | | | | |властивостями | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 3,6 | 0,8 | 1 | 0,8 | 0,6 | 0,4 | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | |кількість | 2 | | | | 1 | 1 | нанотехнологій |Держінформ-| | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 | | |розроблених | | | | | | |створення |науки | | | | | | | | | |нанотехнологій| | | | | | |нанорозмірних |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |германієвих структур|Національна| | 1,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,1 | | | | | | | | | |на підкладках GaAs |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |та Si для |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |виготовлення на їх | | | | | | | | | | | | | | | | | |основі електронних | | | | | | | | | | | | | | | | | |приладів | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 2,4 | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,4 | 0,2 | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | |кількість | 7 | | 2 | 2 | 2 | 1 | методів |Держінформ-| | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 | | |розроблених | | | | | | |створення джерел |науки | | | | | | | | | |методів | | | | | | |випромінювання | | | | | | | | | | | | | | | | | |надвисокої частоти у|-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |терагерцовому |Національна| | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 | | | | | | | | | |діапазоні на основі |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |напівпровідникових |наук | | | | | | | | | | | | | | | | | 3 5 | | | | | | | | | | | | | | | | | |структур А В з | | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктурними | | | | | | | | | | | | | | | | | |буферними шарами і | | | | | | | | | | | | | | | | | |структурованими | | | | | | | | | | | | | | | | | |дифузійними | | | | | | | | | | | | | | | | | |бар"єрами | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 3 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,5 | 0,4 | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | -"- | 3 | 1 | 1 | 1 | | | методів |Держінформ-| | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 | | | | | | | | | |ефективного |науки | | | | | | | | | | | | | | | | |нанолітографічного, |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |в тому числі |Національна| | 1,5 | 0,35 | 0,35 | 0,35 | 0,25 | 0,2 | | | | | | | | | |інтерференційного, |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |створення |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктур | | | | | | | | | | | | | | | | | |------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |Разом | 3 | 0,7 | 0,7 | 0,7 | 0,5 | 0,4 | | |--------------+-----+----+----+----+----+----+------------------------------------------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | |кількість | 3 | | 1 | 1 | 1 | | високоефективних |Держінформ-| | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | | |розроблених | | | | | | |низькотемпературних |науки | | | | | | | | | |нанотехнологій| | | | | | |плазмових |-----------+---------+--------+-------+-------+-------+-------+-------| | | | | | | | | |нанотехнологій |Національна| | 1,5 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | | | | | | | | | |створення |академія | | | | | | | | | | | | | | | | |наноструктурованих |наук | | | | | | | | | | | | | | | | |шарів карбіду | | | | | | | | | | | | | | | | | |кремнію для захисту | | | | | | | | | | | | | | | | | |поверхні | | | | | | | | | | | | | | | | | |високовольтних | | | | | | | | | | | | | | | | | |діодів типу 4HSiC | | | | | | | | | | | | | | | | | |НВЧ pin